GaN Teknolojisinde Devrim: 4.000 Volt Dayanımlı Yeni Transistör
· 1 kaynaktan derlendi
EPFL araştırmacıları, GaN tabanlı transistörlerin yüksek gerilim limitini 650V'tan 4.000V'a çıkaran iPSJ mimarisini geliştirdi. Bu atılım, güç elektroniğinde silikon hakimiyetini kırabilir.
Kaynaklar
Haberin tamamını, arka planını ve ilgili dosyayı görmek için Recap'e giriş yap. Haber #181480