Samsung'dan Depolama Devrimi: Dünyanın İlk 900 Katmanlı V-NAND Çipi

26 Mayıs 2026 · 1 kaynaktan derlendi

Samsung, iki adet 450 katmanlı hücreyi birleştiren CMB teknolojisiyle 900 katmanlı V-NAND prototipi geliştirdi. Bu gelişme, özellikle yapay zeka sunucuları için depolama yoğunluğunu artırırken güç tük

Kaynaklar

• Samsung, dünyanın ilk 900 katmanlı V-NAND depolama çipini geliştirdi— DonanımHaber

Haberin tamamını, arka planını ve ilgili dosyayı görmek için Recap'e giriş yap. Haber #51639