Samsung'dan Yarı İletken Devrimi: Dünyanın İlk 3D Stacked FET Transistörü

17 Haziran 2026 · 1 kaynaktan derlendi

Samsung, transistörleri dikey eksende istifleyen 3D Stacked FET teknolojisini geliştirerek çip tasarımında yeni bir çağ açtı. Bu buluş, enerji verimliliğini iki katına çıkarırken yapay zeka işlemciler

Kaynaklar

• Samsung’dan dünyayı değiştirecek başarı: Türünün ilk transistörü— DonanımHaber

Haberin tamamını, arka planını ve ilgili dosyayı görmek için Recap'e giriş yap. Haber #80091